غرامة التخييم دون ترخيص تصل إلى 2000 ريال معلومة خاطئة بشأن 90% من أمراض القلب إغاثي الملك سلمان يسلّم دفعة جديدة من المساعدات لقطاع غزة أبرز الأسئلة الشائعة عن خدمة محفظة لوحات المركبات الرقمية قلاع أبو نقطة في طبب التاريخية ضمن أفضل القرى السياحية لعام 2024 جامعة القصيم تفتح باب التقديم على 13 برنامجًا للدبلوم عن بعد الشيخ البعيجان في خطبة الجمعة بكوشين الهندية: أوفوا بالعقود والعهود واتقوا محارم الله تحديات تواجه قطاع محطات الوقود في السعودية خطيب المسجد النبوي: تزكية النفوس وتنقيح الأفكار بما حمله الإسلام يضمن صلاحها خطيب المسجد الحرام: على الإنسان الابتعاد عما لا يخصه ولا يهمه ولا يتدخل في شؤون غيره
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت عملية إنتاج ضخمة لبطاقات ذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X DRAM” التي وصفتها بـ”أنحف وأرق رقاقة ذاكرة للأجهزة المحمولة في العالم” من حيث السمك، إذ يبلغ حوالي 0.65 مليمتر فقط.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أن المعمارية الجديدة لذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X” تتسم بمقاومة أفضل للحرارة، حيث زادت نسبة مقاومتها للحرارة بنحو 21.2% مقارنة بالأجيال السابقة، بالإضافة إلى أنها أرق بنسبة 9% مقارنة بحزم LPDDR5X التقليدية.
ويساعد هذا التصميم الجديد في تحسين تدفق الهواء داخل الهواتف الذكية، مما يعزز إدارة الحرارة بشكل كبير، وهو أمر ضروري للأجهزة التي تحتوي على معالجات تطبيقات عالية الأداء مع قدرات ذكاء اصطناعي متطورة.
هذا وتعتزم الشركة تنويع سعة الذاكرة المقدمة من بطاقات LPDDR5X الجديدة، إذ تبدأ الآن الإنتاج الضخم لحزم بسعة 12 و16 جيجا بايت، بتصميم رباعي الطبقات من “DRAM”.
كما تخطط في المستقبل، لتطوير بطاقات بسعات 24 و32 جيجا بايت، بتصميم سداسي الطبقات في نفس الحزمة المدمجة.
ووفقًا لموقع “فون آرينا” المعني بالتكنولوجيا، فمن المحتمل أن تصل هذه البطاقات إلى سلسلة “Galaxy S25″، حيث أكدت سامسونج بشكل غير مباشر الشائعات التي تفيد بأن Galaxy S25 Ultra سيأتي بذاكرة وصول عشوائي أكبر، وفي حال صدقت التوقعات، سيكون الهاتف الأول الذي يحتوي على ذاكرة عشوائية بهذه السعة، منذ سلسلة Galaxy S21.