تحت رعاية ولي العهد.. الفرحان يُتوّج الفائزين بالجوائز الثقافية الوطنية ويُعلن استحداث جائزتين أمانة جدة تستعيد أكثر من 1.2 مليون متر2 أراضٍ حكومية BMW تستعد لإطلاق أول سيارة موفرة للطاقة مفاجآت في مناظرة ترامب وهاريس في الليلة الأكثر أهمية بحملة 2024 ثنائية تُهدي فوزًا ثمينًا لـ فرنسا ضد بلجيكا بدء إيداع دعم حساب المواطن لشهر سبتمبر شاملًا الدعم الإضافي حظر أنشطة الصيد الجائر في محمية الإمام تركي تعرف على أهم مزايا ساعة أبل الجديدة Apple Watch Series 10 درجات الحرارة ألطف بمعظم المناطق مع بداية أكتوبر وظائف إدارية وهندسية شاغرة في شركة المراعي
أعلنت شركة سامسونج أنها بدأت عملية إنتاج ضخمة لبطاقات ذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X DRAM” التي وصفتها بـ”أنحف وأرق رقاقة ذاكرة للأجهزة المحمولة في العالم” من حيث السمك، إذ يبلغ حوالي 0.65 مليمتر فقط.
وأشارت الشركة الكورية الجنوبية إلى أن المعمارية الجديدة لذاكرة الوصول العشوائي “LPDDR5X” تتسم بمقاومة أفضل للحرارة، حيث زادت نسبة مقاومتها للحرارة بنحو 21.2% مقارنة بالأجيال السابقة، بالإضافة إلى أنها أرق بنسبة 9% مقارنة بحزم LPDDR5X التقليدية.
ويساعد هذا التصميم الجديد في تحسين تدفق الهواء داخل الهواتف الذكية، مما يعزز إدارة الحرارة بشكل كبير، وهو أمر ضروري للأجهزة التي تحتوي على معالجات تطبيقات عالية الأداء مع قدرات ذكاء اصطناعي متطورة.
هذا وتعتزم الشركة تنويع سعة الذاكرة المقدمة من بطاقات LPDDR5X الجديدة، إذ تبدأ الآن الإنتاج الضخم لحزم بسعة 12 و16 جيجا بايت، بتصميم رباعي الطبقات من “DRAM”.
كما تخطط في المستقبل، لتطوير بطاقات بسعات 24 و32 جيجا بايت، بتصميم سداسي الطبقات في نفس الحزمة المدمجة.
ووفقًا لموقع “فون آرينا” المعني بالتكنولوجيا، فمن المحتمل أن تصل هذه البطاقات إلى سلسلة “Galaxy S25″، حيث أكدت سامسونج بشكل غير مباشر الشائعات التي تفيد بأن Galaxy S25 Ultra سيأتي بذاكرة وصول عشوائي أكبر، وفي حال صدقت التوقعات، سيكون الهاتف الأول الذي يحتوي على ذاكرة عشوائية بهذه السعة، منذ سلسلة Galaxy S21.