في الشوط الأول.. الاتفاق يتفوق على الأخدود بهدف
عملية نوعية تحبط ترويج 486 كجم قات مخدر وتطيح بـ 15 مهربًا
غدًا.. المرور يطرح مزاد اللوحات الإلكتروني عبر منصة أبشر
جامعة الأمير سلطان تنظم معرض التوظيف 2025 بمشاركة 100 جهة حكومية وخاصة
الخلود يقلب الطاولة ويتجاوز الرياض بثلاثية
أمانة حائل تطرح عددًا من الفرص الاستثمارية
الاتفاق يبحث عن رقم غائب منذ 2011
بالتعاون مع “دراغون” العالمية.. موسم الدرعية يُطلق تجربة خيال السوق
القوات البحرية الملكية السعودية تشارك في تمرين أمان في باكستان
الفارس السعودي مهند السالمي يتوج بلقب كأس خادم الحرمين للقدرة والتحمل
-
17°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب