بعد الموافقة السامية.. جامعة الأميرة نورة تمنح الأميرة فهدة آل حثلين درجة الدكتوراه الفخرية
طيران ناس يحتفل بتدشين رحلاته المباشرة بين الرياض وأبوظبي
منها شهب القيثاريات.. تغيرات فلكية لافتة خلال شهر أبريل
إطلاق 25 كائنًا فطريًا مهددًا بالانقراض في محمية الإمام تركي
أمطار ورياح شديدة على حائل
ضبط 4 وافدين لممارستهم أفعالًا تنافي الآداب العامة في أحد مراكز المساج
انضمام العُلا و5 مدن سعودية ضمن مؤشر IMD العالمي للمدن الذكية
حساب المواطن: 3 مليارات ريال لمستفيدي دفعة أبريل
الإنتاج الصناعي بالسعودية يسجل انخفاضًا طفيفًا في فبراير
جامعة الملك خالد تحدد مواعيد القبول لبرامج الدراسات العليا
-
38°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب