خالد بن سلمان يبحث العلاقات الثنائية مع نظيره السلوفاكي
سلمان للإغاثة يوزّع 1.200 سلة غذائية في درعا السورية
تعليم المدينة المنورة: تعليق الدراسة الحضورية اليوم
الدراسة عن بعد اليوم في تعليم الطائف
عبور 20 شاحنة إغاثية سعودية منفذ نصيب الحدودي لمساعدة الشعب السوري
آلية الإفصاح عن دخل برامج التوصيل في حساب المواطن
تنظيم الدخول والخروج من أبواب المسجد الحرام خلال رمضان
تعليق الدراسة الحضورية اليوم في مدارس القصيم
لقطات من صلاة التراويح في المسجد الحرام ليلة 4 رمضان
إنقاذ 12 شخصًا بعد جنوح واسطتهم البحرية على منطقة صخرية بالشرقية
-
15°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب