مركز الملك سلمان للإغاثة يوزع 175 ألف ربطة خبز في شمال لبنان
القبض على مقيم يروج الحشيش في نجران
فان دايك: مواجهة بورنموث كانت صعبة ومحمد صلاح استثنائي
غروهي: مشاعري مختلفة أمام جمهور الاتحاد
بدء العد التنازلي لانتهاء الشتاء وتوقعات بتسجيل درجات مئوية تحت الصفر
لوران بلان: ارتكبنا أخطاء ضد الخلود وغياب ديابي لأسباب طبية
ابن زكري: تفوقنا على الاتحاد وركلة الجزاء المحتسبة غير صحيحة
ربط التعليم بأهداف التنمية المستدامة مهم لإكساب الطلبة مهارات المستقبل
هدافو دوري روشن بعد نهاية الجولة الـ18
ترتيب دوري روشن بعد ختام الجولة الـ18
-
12°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب