الهلال يكتسح غوانغجو بسباعية ويتأهل لنصف نهائي آسيا
ميتروفيتش يسجل الهدف الرابع في شباك غوانغجو
تصدر قائمة الهدافين.. سالم الدوسري يستعيد بريقه آسيويًا
الهلال يضرب غوانغجو بثلاثية في الشوط الأول
فيصل بن نواف: رؤية 2030 تمضي بخطى ثابتة نحو تحقيق أهدافها
فيصل بن خالد: مسيرة رؤية 2030 تسابق الزمن وتقريرها السنوي يبرهن على عمق التحوّل
سعود بن نايف: رؤية 2030 حققت إنجازات نوعية تؤكد ريادة السعودية عالميًا
فيصل بن بندر: أرقام إنجازات رؤية 2030 تؤكد العمل الدؤوب والمستمر والواضح
سالم الدوسري يُعزز تقدم الهلال بهدف ثالث
الهلال يهز شباك غوانغجو بالهدف الثاني
-
32°
كشفت شركة سامسونج عن بدء إنتاج الجيل الثاني من معالجاتها الذكية بتقنية 10nm FinFET، والتي أطلقت عليها الشركة اسم 10LPP “Low Power Plus”، فيما تقول الشركة: إن الجيل الثاني من هذه المعالجات سيزيد الأداء بنسبة تصل إلى 10%، كما أنه يعتبر أقل 15% في استهلاك الطاقة مقارنة بالجيل الأول من المعالجات المصنعة بتقنيات 10nm العادية.
وأعلنت سامسونج عن خط تصنيع جديد في مدينة “هواسونج” بكوريا الجنوبية، لتكون قادرة على تلبية الطلب لتلك المعالجات الجديدة، فيما أشار تقرير جديد إلى أن الشركة تنطلق نحو عمليات تصنيع بتقنية 8 نانومتر، بالإضافة إلى تقنية 7 نانومتر، ومن المتوقع رؤية معالجات سامسونج بتقنيات 7 نانومتر بحلول نهاية العام المقبل.
ويمكن استخدام رقاقات بتقنية 10 نانومتر جديدة في صنع معالجات Snapdragon 845، إضافة إلى معالج الهاتف الذكي المقبل من سامسونج، وهو ما يعنى أن سامسونج قد تركز على كفاءة الطاقة بدلًا من زيادة الأداء، وقد قامت شركة سامسونج بتصنيع هذه الشريحة الجديدة من خلال دمج أربع شرائح من رقائق DRAM سعة 16 ميجا بايت من فئة 10 نانومتر (16 جيجا بايت = 2 جيجا بايت) لتقليل السُمك بنسبة 20% من شريحة الجيل الأخير.
تابعوا قناة المواطن على واتساب