تنبيه من حالة مطرية على منطقة عسير
زلزال بقوة 4.5 درجات يضرب جزر إيزو اليابانية
مصرع 17 شخصًا إثر سقوط حافلة في البرازيل
أسعار الذهب ترتفع وتقترب من أعلى مستوى
سقوط ضحايا جراء انهيارات أرضية وفيضانات في إندونيسيا
السجن والغرامة لـ6 مواطنين ارتكبوا جريمة احتيالٍ مالي بأوراق نقدية مزورة
تنبيه من رياح شديدة على منطقة تبوك
برعاية ولي العهد.. انطلاق المؤتمر السنوي العالمي الثامن والعشرين للاستثمار
السعودية تستضيف المعرض الدوائي العالمي CPHI الشرق الأوسط
هل تعد الرخصة المهنية شرطًا لترقية المعلمين والمعلمات؟
-
30°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب