عملية نوعية تحبط ترويج 5838 قرصًا محظورًا وتطيح بالمهربين
البورصة المصرية تربح 15.9 مليار جنيه خلال أسبوع
هيئة تنمية الصادرات السعودية تحصد جائزة الملك عبدالعزيز للجودة
ضبط مواطن لترويجه الحشيش والإمفيتامين والأقراص المحظورة بالجوف
مساند: 3 حالات فقط لإرسال رمز OTP عبر أبشر
حساب المواطن يوضح حل مشكلة “ملاحاظات على عقد الإيجار”
الأولى عالميًا بسعة أنابيب النقل.. السعودية تحقق أرقامًا قياسية غير مسبوقة بقطاع المياه
إحباط تهريب 3.3 كجم من الحشيش المخدر بالمدينة المنورة
برئاسة فيصل بن فرحان.. المملكة تشارك بالمنتدى الاقتصادي العالمي 2025
رعب في دولة عربية.. فيروس ينتشر ويملأ المستشفيات بالمرضى
-
18°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب