طقس غير مستقر في تبوك والشمالية غدًا
رئيس الشباب عن صفقة الحربي: بحثت عن مصلحة النادي
“الفريق خسر فنيًّا”.. المنجم يكشف كواليس انتقال تمبكتي للهلال
المجلس العسكري في مالي يقيل رئيس الحكومة بسبب انتقاداته
مصادرة أكثر من 20 ألف رتبة وشعارات عسكرية بالرياض وغلق محلين
العرب والنجوم علاقة وجود وحياة
الجنيه الإسترليني ينخفض مقابل الدولار ويرتفع مقابل اليورو
مؤشرات الأسهم الأوروبية تغلق تعاملاتها على استقرار
هل إغلاق سخان المياه أثناء الاستحمام ضروري؟
كيف استعدت أمانة الشرقية لموسم الأمطار؟
-
20°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب