بدء العد التنازلي لانتهاء الشتاء وتوقعات بتسجيل درجات مئوية تحت الصفر
لوران بلان: ارتكبنا أخطاء ضد الخلود وغياب ديابي لأسباب طبية
ابن زكري: تفوقنا على الاتحاد وركلة الجزاء المحتسبة غير صحيحة
ربط التعليم بأهداف التنمية المستدامة مهم لإكساب الطلبة مهارات المستقبل
هدافو دوري روشن بعد نهاية الجولة الـ18
ترتيب دوري روشن بعد ختام الجولة الـ18
القوات الخاصة للأمن والحماية تنفذ مهامها في سباق طواف العلا 2025
الاتحاد يقلب الطاولة على الخلود ويفوز برباعية
بيع سيارة مرسيدس نادرة بـ 51.2 مليون يورو
ثنائية محمد صلاح تمنح ليفربول نقاط بورنموث
-
14°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب