نائب أمير الرياض يؤدي صلاة الميت على الشيخ فيصل بن سلطان آل حثلين
الألعاب التراثية الرمضانية في حائل.. هوية تربط الأجيال الماضية والحالية
التشهير بمواطن ومقيم ارتكبا جريمة التستر في الديكورات وتجهيز المعارض
تكريم الفائزين بجائزة خادم الحرمين الشريفين لحفظ القرآن الكريم في الأحساء
في قبضة رجال المكافحة.. مقيمان مخالفان لترويجهما الحشيش المخدر
الاتفاق في تحدٍّ صعب ضد دهوك
رينارد يعلن قائمة الأخضر لمواجهتي الصين واليابان
جالينو ينفرد برقم آسيوي مميز
مشروع محمد بن سلمان يضم مسجد الجامع في ضباء ويحافظ على هويته المعمارية
51 مساهمة تهديفية لـ رياض محرز مع الأهلي
-
21°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب