ولادة المها العربي الـ 15 في محمية الأمير محمد بن سلمان الملكية
ضبط عدد من الشاحنات الأجنبية المخالفة وتطبيق الغرامات
الضمان الاجتماعي يحدد مهلة تحديث البيانات لصرف المعاش
5 صفقات خاصة في سوق الأسهم بـ 72 مليون ريال
علاج جديد محتمل للصلع الوراثي
لقطات توثق هطول أمطار الخير على جازان وعسير
يوتيوب يواجه الصور المضللة بإجراءات صارمة
عملية نوعية.. إحباط تهريب 79 ألف قرص مخدر بجازان
أمير الرياض يرعى حفل الزواج الجماعي الثامن بجمعية إنسان
وزارة الصناعة تُطلق برنامج التدريب التعاوني للطلاب الجامعيين
-
16°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب