أمير تبوك يعزي أبناء جارالله القحطاني في وفاة والدهم
حرس الحدود يقبض على 5 مخالفين لتهريبهم 120 كجم قات مخدر
البورصة المصرية تخسر 64 مليار جنيه في أسبوع
محافظة طريف تسجل أدنى درجة حرارة بالمملكة
برعاية الملك سلمان.. جائزة الملك فيصل تكرّم الفائزين بها لعام 2025
برعاية ولي العهد.. انطلاق مؤتمر مبادرة القدرات البشرية بنسخته الثانية غدًا
استعدادًا لموسم الحج .. الداخلية تعلن عددًا من الترتيبات والإجراءات
زواج أبناء محمد بن سعد بن عايض
يزيد الراجحي يتعرض للإصابة في رالي باها الأردن الدولي
ارتفاع سعر الذهب في السعودية اليوم السبت 12 إبريل
-
29°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب