أمانة جدة تطلق حملة للتبرع بالدم دولة إفريقية تسجل 32 حالة وفاة بسبب الكوليرا سعود كاتب يتوقع ظواهر إعلامية جديدة.. مستقبل الصحافة بين ترامب وماسك أسعار القهوة تقفز لأرقام قياسية.. ما علاقة حرائق البرازيل؟ أمانة الرياض تتيح خدمة إصدار نظام البناء عبر تطبيق مدينتي انخفاض مؤشر الدولار مقابل اليورو والين بالفيديو.. ارتفاع ضحايا حريق منتجع بولو في تركيا لـ76 شخصًا استقرار أسعار النفط في التعاملات الصباحية حادثة جديدة بمصر.. طالب مصري يطعن 3 بمدرسة إنترناشيونال الاستثمارات العامة وشركة “علم” يوقّعان اتفاقية للاستحواذ على شركة “ثقة”
أعلنت شركة سامسونج عن تطوير ذاكرة وصول عشوائي RAM جديدة للأجهزة الجوالة، تمتاز بالتوفير في استهلاك الطاقة مع زيادة معدل نقل البيانات.
وكشفت الشركة الكورية الجنوبية عن ذاكرة LPDDR5 الأولى، على الرغم من أن المواصفات الرسمية لم تكتمل بعد من قبل JEDEC، وقد تم تصميم الإصدار الموفر في استهلاك الطاقة من ذاكرة DDR5 خصيصًا للأجهزة الجوالة، ويصل معدل نقل البيانات للذاكرة العشوائية LPDDR5 الجديدة إلى 6400 ميجا بت في الثانية.
ويبلغ معدل الجهد اللازم لذاكرة الوصول العشوائي الجديدة إلى 1.1 فولت، كما يمكن توفير المزيد من الطاقة في الوضع الخاص ليصل معدل الاستهلاك إلى 1.05 فولت، ولكن في المقابل ينخفض معدل نقل البيانات إلى 5500 ميجا بت في الثانية.
ويعمل وضع السكون العميق Deep Sleep Mode، المعروف اختصارًا باسم DSM، على توفير نسبة أخرى من الطاقة تصل إلى 30%، وتخطط شركة سامسونج لبدء الإنتاج القياسي من ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة خلال العام المقبل.