الأرنب البري.. ليلي النشاط ويتواجد بكثرة في مناطق الحفظ بمحمية الملك سلمان
يايسله: نُركز على مواجهة الغرافة ولا أخشى تراجع مستوى جالينو
بدون رونالدو.. قائمة النصر لمواجهة بيرسبوليس
ولي العهد يتلقى اتصالًا هاتفيًّا من الرئيس الفرنسي
سلوت يُشبه محمد صلاح برونالدو
عبور 25 شاحنة إغاثية سعودية جديدة منفذ نصيب لمساعدة الشعب السوري
موعد مباراة الأهلي ضد الغرافة والقنوات الناقلة
الرياض والقصيم والشرقية لهم النصيب الأكبر من الأمطار
التشكيل المثالي للجولة الـ20 بدوري روشن
كريم بنزيما يخطف نجومية الجولة الـ20
-
21°
أعلنت شركة سامسونج عن شرائح ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 8 جيجا بايت للأجيال المقبلة من الهواتف الذكية، وذلك بعدما أعلنت الشركة مطلع هذا العام عن رقاقات الذاكرة GDDR6 بتقنية 10 10nm.
توفر هذه الشرائح معدلات سرعة تصل إلى 6400 ميجا بايت في الثانية، وهو ما يعتبر تحسينا بنسبة 50% مقارنة برقائق LPDDR4X بسرعة 4266 ميجا بايت في الثانية، حيث يمكن تحقيق تلك السرعة عند تشغيل الرقائق على 1.1V، أما لتشغيل أقل طاقة ممكنة فإن وضع 1.05V متوفر عند سرعة 5500 ميجا بايت في الثانية.
وتأمل سامسونج أن يتم الاستفادة من عرض النطاق الترددي العالي لهذه الرقاقات للتطبيقات التي تعمل بنظام الذكاء الاصطناعي والهواتف التي تدعم تقنية 5G، كما قامت الشركة باختبار حزمة ذاكرة الوصول العشوائي 8 جيجابايت مع ثماني رقائق LPDDR5، وستقوم سامسونج بتصنيع ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة في منشأة Pyeongtaek في كوريا.
تابعوا قناة المواطن على واتساب